Особенности МДП-структур с фторидом самария на кремниевых и германиевых подложках

Электрофизические характеристики кремниевых и германиевых МДП-структур с диэлектрической пленкой SmF$_{3}$, а также их деградация в результате воздействия электрических полей хотя и подобны, но имеют ряд особенностей. Механизм токопрохождения во всех исследованных структурах описывается степенной зависимостью. Интерфейсные ловушки создают заряд электрически активных ловушек, который изменяется при вольт-емкостных измерениях, и заряд неактивных ловушек, который остается неизменным. На поверхности $n$-Ge этот заряд отрицательный, на поверхности кремния $n$- и $p$-типа соответствующий заряд положительный. Плотность заряда ловушек в объеме фторида самария лежала в интервале от -0.2 $\cdot$ 10$^{-8}$ до 0.6 $\cdot$ 10$^{-8}$ K/см$^{2}$ и в большинстве случаев была пренебрежимо мала по сравнению с зарядом интерфейсных ловушек.