Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2, страницы 249–252
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47108.8870 (Mi phts5596) 		 
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Низкотемпературные омические контакты на основе Ta/Al к гетероэпитаксиальным структурам AlGaN/GaN на кремниевых подложках

Е. В. Ерофеевa, И. В. Фединa, В. В. Фединаa, А. П. Фазлеевb

a Научно-исследовательский институт систем электрической связи Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
b АО НПФ "МИКРАН", г. Томск
PDF полного текста (770 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47108.8870
Аннотация: Исследованы закономерности формирования низкотемпературного омического контакта на основе Ta/Al к гетероэпитаксиальным структурам Al$_{0.25}$Ga$_{0.75}$N/GaN на кремниевых подложках. Получены омические контакты на основе композиции Ta/Al/Ti (10/300/20 нм), характеризующиеся низким значением приведенного контактного сопротивления (0.4 Ом $\cdot$ мм), а также гладкой морфологией поверхности контактной площадки и ее края после термической обработки при $T$ = 550$^\circ$C в течение $t$ = 60 с в среде азота.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.577.21.0250
Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ (Соглашение № 14.577.21.0250 от 26.09.17). Уникальный идентификатор проекта RFMEFI57717X0250.
Поступила в редакцию: 16.04.2018
Исправленный вариант: 23.04.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 2, Pages 237–240
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619020064
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Ерофеев, И. В. Федин, В. В. Федина, А. П. Фазлеев, “Низкотемпературные омические контакты на основе Ta/Al к гетероэпитаксиальным структурам AlGaN/GaN на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 249–252; Semiconductors, 53:2 (2019), 237–240
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EroFedFed19}
\by Е.~В.~Ерофеев, И.~В.~Федин, В.~В.~Федина, А.~П.~Фазлеев
\paper Низкотемпературные омические контакты на основе Ta/Al к гетероэпитаксиальным структурам AlGaN/GaN на кремниевых подложках
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 249--252
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5596}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47108.8870}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476908}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 237--240
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619020064}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5596
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i2/p249
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025