Энергия связи пластин кремния и сапфира при повышенных температурах соединения

Изучены гидрофильность поверхности и энергия связи пластин кремния и сапфира при температуре соединения 50$^\circ$C. Установлено, что нагрев пластин Si и Al$_{2}$O$_{3}$ до 50$^\circ$C сопровождается ростом степени гидрофильности их поверхностей. Эффект объясняется улучшением степени чистоты поверхности за счет десорбции примесных атомов в вакуум и увеличением плотности оборванных связей. Обнаружен рост энергии связи пластин кремния и сапфира при температуре соединения 50$^\circ$C и последующем нагреве в интервале 100–250$^\circ$C по сравнению с ее значениями при соединении при комнатной температуре. Определена энергия активации роста энергии связи, которая составила 0.57 эВ.