Влияние буферного слоя por-Si на оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) с наноколончатой морфологией пленки

С использованием метода молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота на подложке монокристаллического кремния $c$-Si(111) и подложке с нанопористым буферным подслоем (por-Si) нами были выращены интегрированные гетероструктуры с наноколончатой морфологией пленки In$_{x}$Ga$_{1-x}$N. С привлечением комплекса спектроскопических методов анализа было показано, что рост наноколонок In$_{x}$Ga$_{1-x}$N на нанопористом буферном слое имеет ряд преимуществ по сравнению с ростом на $c$-Si. Данные pамановской и УФ-спектроскопии подтверждают рост наноколончатой структуры, а также находятся в согласии с данными рентгеновской дифракции из нашей предыдущей работы о том, что слой In$_{x}$Ga$_{1-x}$N находится в напряженном, нерелаксированном состоянии. Рост наноколонок In$_{x}$Ga$_{1-x}$N на пористом слое Si положительно отражается на оптических свойствах гетероструктур. При неизменной полуширине эмиссионной линии в спектре ФЛ интенсивность квантового выхода от образца гетероструктуры, выращенной на пористом буферном слое Si, выше на величину $\sim$25%, чем интенсивность от пленки, выращенной на кристаллическом кремнии.