Исследование мемристорного эффекта в нанокристаллических пленках ZnO

Представлены результаты экспериментальных исследований мемристорного эффекта и влияния режимов отжига на электрофизические свойства нанокристаллических пленок оксида цинка, полученных методом импульсного лазерного осаждения. Показана возможность получения нанокристаллических пленок оксида цинка методом импульсного лазерного осаждения в широком диапазоне электрических (удельное сопротивление от 1.44 $\cdot$ 10$^{-5}$ до 8.06 $\cdot$ 10$^{-1}$ Ом $\cdot$ см) и морфологических (шероховатость от 0.43 $\pm$ 0.32 до 6.36 $\pm$ 0.38 нм) параметров, за счет использования послеростового отжига в атмосфере кислорода (давление 10$^{-1}$ и 10$^{-3}$ Торр, температура 300 и 800$^\circ$C, длительность от 1 до 10 ч). Показано, что нанокристаллическая пленка оксида цинка толщиной 58 $\pm$ 2 нм проявляет стабильный мемристорный эффект, слабозависящий от ее морфологии — приложение напряжения -2.5 и +4 В приводит к переключению между состояниями с сопротивлением 3.3 $\pm$ 1.1 $\cdot$ 10$^{9}$ и 8.1 $\pm$ 3.4 $\cdot$ 10$^{7}$ Ом соответственно. Полученные результаты могут быть использованы при разработке конструкций и технологических процессов изготовления элементов резистивной памяти на основе мемристорного эффекта, а также приборов опто-, микро-, наноэлектроники и наносистемной техники.