Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 13, страницы 1570–1572
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46867.8891 (Mi phts5629) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Измерение подвижности носителей заряда в арсениде галлия с помощью ближнеполевого сверхвысокочастотного микроскопа методом сверхвысокочастотного магнитосопротивления

Д. А. Усанов, А. Э. Постельга, А. А. Калямин, И. В. Шаров

Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
PDF полного текста (406 kB) Список цитирования (2) Английская версия
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46867.8891
Аннотация: Показана возможность бесконтактного неразрушающего локального измерения сверхвысокочастотной подвижности носителей заряда в арсениде галлия при помощи ближнеполевого сканирующего сверхвысокочастотного микроскопа с использованием эффекта сверхвысокочастотного магнитосопротивления. Отмечается необходимость учета при обработке результатов измерений влияния эффекта смещения сверхвысокочастотного поля.
Поступила в редакцию: 16.04.2018
Принята в печать: 24.04.2018
Английская версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 13, Pages 1669–1671
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618130195
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Усанов, А. Э. Постельга, А. А. Калямин, И. В. Шаров, “Измерение подвижности носителей заряда в арсениде галлия с помощью ближнеполевого сверхвысокочастотного микроскопа методом сверхвысокочастотного магнитосопротивления”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1570–1572; Semiconductors, 52:13 (2018), 1669–1671
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{UsaPosKal18}
\by Д.~А.~Усанов, А.~Э.~Постельга, А.~А.~Калямин, И.~В.~Шаров
\paper Измерение подвижности носителей заряда в арсениде галлия с помощью ближнеполевого сверхвысокочастотного микроскопа методом сверхвысокочастотного магнитосопротивления
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 13
\pages 1570--1572
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5629}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46867.8891}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903654}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 13
\pages 1669--1671
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618130195}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5629
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i13/p1570
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:91
    PDF полного текста:67
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026