Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 13, страницы 1573–1577
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46868.8904 (Mi phts5630) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Электронный парамагнитный резонанс электронов проводимости в кристаллах HgSe

А. И. Вейнгерa, И. В. Кочманa, В. И. Окуловb, М. Д. Андрийчукc, Л. Д. Паранчичc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
c Черновицкий национальный университет
PDF полного текста (128 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46868.8904
Аннотация: Изучены образцы бесщелевого полупроводника HgSe c различной концентрацией примеси железа. Образцы HgSe:Fe исследованы методом электронного парамагнитного резонанса. Рассмотрены множественные резонансные линии, обусловленные неспаренными спинами различного происхождения. Для описания свойств электронов, локализованных на мелких примесях, использована водородоподобная модель. Рассмотрено влияние внутреннего поля на резонансные линии. Обнаружено, что зона проводимости HgSe является не только непараболической, но также и несферической.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-02-00352
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 1.4
Работа подготовлена при частичной поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект 16-02-00352) и Программы Президиумa РАН 1.4. “Актуальные проблемы физика низких температур”.
Поступила в редакцию: 04.05.2018
Принята в печать: 21.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 13, Pages 1672–1676
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618130225
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Вейнгер, И. В. Кочман, В. И. Окулов, М. Д. Андрийчук, Л. Д. Паранчич, “Электронный парамагнитный резонанс электронов проводимости в кристаллах HgSe”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1573–1577; Semiconductors, 52:13 (2018), 1672–1676
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VeiKocOku18}
\by А.~И.~Вейнгер, И.~В.~Кочман, В.~И.~Окулов, М.~Д.~Андрийчук, Л.~Д.~Паранчич
\paper Электронный парамагнитный резонанс электронов проводимости в кристаллах HgSe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 13
\pages 1573--1577
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5630}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46868.8904}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903655}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 13
\pages 1672--1676
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618130225}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5630
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i13/p1573
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025