Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12, страницы 1414–1420
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46749.28 (Mi phts5652) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного $\gamma$- и $\gamma$-нейтронного облучения

М. М. Венедиктовa, Е. А. Тарасоваb, А. Д. Боженькинаb, С. В. Оболенскийb, В. В. Елесинc, Г. В. Чуковc, И. О. Метелкинc, М. А. Кревскийd, Д. И. Дюковd, А. Г. Фефеловd

a Научно-исследовательский институт измерительных систем имени Ю. Е. Седакова, Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
d ОАО "НПП Салют", Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (429 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46749.28
Аннотация: Проведен анализ влияния неравновесных процессов в полупроводниковых структурах при радиационном воздействии на характеристики структур и СВЧ-транзисторов на их основе. Особое внимание обращено на сопоставление параметров опытных (экспериментальных) и серийных структур и транзисторов на их основе до и после $\gamma$-нейтронного облучения.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 8.2373.2017/4.6
Работа выполнена в рамках соглашения о предоставлении субсидии между Министерства образования и науки России и НИЯУ МИФИ № 8.2373.2017/4.6.
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 12, Pages 1518–1524
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618120266
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. М. Венедиктов, Е. А. Тарасова, А. Д. Боженькина, С. В. Оболенский, В. В. Елесин, Г. В. Чуков, И. О. Метелкин, М. А. Кревский, Д. И. Дюков, А. Г. Фефелов, “Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного $\gamma$- и $\gamma$-нейтронного облучения”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1414–1420; Semiconductors, 52:12 (2018), 1518–1524
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VenTarBoz18}
\by М.~М.~Венедиктов, Е.~А.~Тарасова, А.~Д.~Боженькина, С.~В.~Оболенский, В.~В.~Елесин, Г.~В.~Чуков, И.~О.~Метелкин, М.~А.~Кревский, Д.~И.~Дюков, А.~Г.~Фефелов
\paper Анализ поведения неравновесных полупроводниковых структур и СВЧ транзисторов в момент и после импульсного $\gamma$- и $\gamma$-нейтронного облучения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1414--1420
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5652}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46749.28}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903625}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1518--1524
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618120266}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5652
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1414
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025