Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12, страницы 1443–1446
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46754.33 (Mi phts5657) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si

Н. В. Байдусьa, В. Я. Алешкинb, А. А. Дубиновb, З. Ф. Красильникb, К. Е. Кудрявцевb, С. М. Некоркинa, А. В. Новиковb, А. В. Рыковa, Д. Г. Реуновa, М. В. Шалеевa, П. А. Юнинb, Д. В. Юрасовb

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (298 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46754.33
Аннотация: Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на подложках GaAs и искусственных подложках Ge/Si на основе Si(001) с эпитаксиальным метаморфным слоем Ge выращены лазерные структуры с напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs. Для подавления релаксации упругих напряжений при росте квантовых ям InGaAs с высокой долей In применялись компенсирующие слои GaAsP. Сопоставлены структурные и излучательные свойства образцов, выращенных на различных типах подложек. На структурах, выращенных на подложках GaAs, получено стимулированное излучение на длинах волн до 1.24 мкм при температуре 300 K, выращенных на подложках Ge/Si – на длинах волн до 1.1 мкм при температуре 77 K.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-12-00644
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект № 14-12-00644).
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 12, Pages 1547–1550
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618120060
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Байдусь, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, З. Ф. Красильник, К. Е. Кудрявцев, С. М. Некоркин, А. В. Новиков, А. В. Рыков, Д. Г. Реунов, М. В. Шалеев, П. А. Юнин, Д. В. Юрасов, “Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1443–1446; Semiconductors, 52:12 (2018), 1547–1550
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BaiAleDub18}
\by Н.~В.~Байдусь, В.~Я.~Алешкин, А.~А.~Дубинов, З.~Ф.~Красильник, К.~Е.~Кудрявцев, С.~М.~Некоркин, А.~В.~Новиков, А.~В.~Рыков, Д.~Г.~Реунов, М.~В.~Шалеев, П.~А.~Юнин, Д.~В.~Юрасов
\paper Применение компенсирующих слоев GaAsP для роста лазерных гетероструктур с квантовыми ямами InGaAs/GaAs, излучающих на длинах волн больше 1100 нм, на искусственных подложках Ge/Si
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1443--1446
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5657}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46754.33}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903630}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1547--1550
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618120060}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5657
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1443
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025