|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.
Получение электроимпульсным плазменным спеканием термоэлектрических материалов на основе Si и Ge
И. В. Ерофееваa, М. В. Дорохинa, А. В. Здоровейщевa, Ю. М. Кузнецовab, А. А. Поповab, Е. А. Ланцевb, А. В. Боряковc, В. Е. Котоминаa a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Научно-исследовательский институт химии при Нижегородском государственном университете им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Исследованы термоэлектрические материалы на основе SiGe, полученного электроимпульсным плазменным спеканием. Проведено варьирование степени легирования исходных материалов, степени перемешивания Si и Ge, а также свойств зеренной структуры сформированных образцов. Установлено, что использование исходных материалов, легированных донорными или акцепторными примесями позволяет управлять концентрацией носителей заряда в спеченных образцах. Показано, что концентрация носителей оказывает наиболее существенное влияние на энергетические характеристики термоэлектриков (фактор мощности). Для структур с наибольшей концентрацией носителей управление термоэлектрическими коэффициентами достигается путем варьирования степени перемешивания Ge и Si, а также однородности распределения примесей.
Поступила в редакцию: 25.04.2018 Принята в печать: 07.05.2018
Образец цитирования:
И. В. Ерофеева, М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, Ю. М. Кузнецов, А. А. Попов, Е. А. Ланцев, А. В. Боряков, В. Е. Котомина, “Получение электроимпульсным плазменным спеканием термоэлектрических материалов на основе Si и Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1455–1459; Semiconductors, 52:12 (2018), 1559–1563
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5659 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1455
|
|