Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12, страницы 1455–1459
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46756.35
(Mi phts5659)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Получение электроимпульсным плазменным спеканием термоэлектрических материалов на основе Si и Ge

И. В. Ерофееваa, М. В. Дорохинa, А. В. Здоровейщевa, Ю. М. Кузнецовab, А. А. Поповab, Е. А. Ланцевb, А. В. Боряковc, В. Е. Котоминаa

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Научно-исследовательский институт химии при Нижегородском государственном университете им. Н. И. Лобачевского
Аннотация: Исследованы термоэлектрические материалы на основе SiGe, полученного электроимпульсным плазменным спеканием. Проведено варьирование степени легирования исходных материалов, степени перемешивания Si и Ge, а также свойств зеренной структуры сформированных образцов. Установлено, что использование исходных материалов, легированных донорными или акцепторными примесями позволяет управлять концентрацией носителей заряда в спеченных образцах. Показано, что концентрация носителей оказывает наиболее существенное влияние на энергетические характеристики термоэлектриков (фактор мощности). Для структур с наибольшей концентрацией носителей управление термоэлектрическими коэффициентами достигается путем варьирования степени перемешивания Ge и Si, а также однородности распределения примесей.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-79-20173
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект № 17-79-20173).
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 12, Pages 1559–1563
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618120072
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Ерофеева, М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, Ю. М. Кузнецов, А. А. Попов, Е. А. Ланцев, А. В. Боряков, В. Е. Котомина, “Получение электроимпульсным плазменным спеканием термоэлектрических материалов на основе Si и Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1455–1459; Semiconductors, 52:12 (2018), 1559–1563
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{EroDorZdo18}
\by И.~В.~Ерофеева, М.~В.~Дорохин, А.~В.~Здоровейщев, Ю.~М.~Кузнецов, А.~А.~Попов, Е.~А.~Ланцев, А.~В.~Боряков, В.~Е.~Котомина
\paper Получение электроимпульсным плазменным спеканием термоэлектрических материалов на основе Si и Ge
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1455--1459
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5659}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46756.35}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903633}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1559--1563
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618120072}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5659
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1455
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025