Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1268–1273
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46581.03 (Mi phts5678) 		 
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц

Р. А. Хабибуллинa, Н. В. Щаврукa, Д. С. Пономаревa, Д. В. Ушаковb, А. А. Афоненкоb, И. С. Васильевскийc, А. А. Зайцевd, А. И. Даниловe, О. Ю. Волковf, В. В. Павловскийf, К. В. Маремьянинg, В. И. Гавриленкоg

a Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, г. Москва
b Белорусский государственный университет, г. Минск
c Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
d Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
e Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
f Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва
g Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (734 kB) Список цитирования (15)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46581.03
Аннотация: Предложена конструкция активной области квантово-каскадного лазера терагерцового диапазона частот на основе трех туннельно-связанных квантовых ям GaAs/Al$_{0.15}$Ga$_{0.85}$As c резонансно-фононным дизайном. Рассчитаны уровни энергии, матричные элементы дипольных переходов и спектры усиления в зависимости от напряженности приложенного электрического поля $F$ и температуры. Показано, что максимальное усиление реализуется на частоте 3.37 ТГц при $F$ = 12.3 кВ/см. На основе предложенной конструкции изготовлен квантово-каскадный лазер с двойным металлическим волноводом, излучающий на частоте $\sim$3.3 ТГц при $T_{\operatorname{max}}$ $\sim$84 K. Из зависимости выходной мощности от температуры определена энергия активации $E_a$ = 23 мэВ испускания LO-фононов при рекомбинации электронов с верхнего лазерного уровня на нижний.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-02-00070 А
18-52-00011 Бел_а
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований Ф18Р-107
Российский научный фонд 18-19-00493
Работа выполнена при финансовой поддержке грантов РФФИ № 17-02-00070 А, 18-52-00011 Бел_а и гранта БРФФИ № Ф18Р-107. Экспериментальная часть работы по изготовлению ТГц ККЛ выполнена Н.В. Щавруком и Д.С. Пономаревым при финансовой поддержке гранта РНФ № 18-19-00493.
Поступила в редакцию: 04.06.2018
Принята в печать: 14.06.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 11, Pages 1380–1385
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618110118
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, Д. С. Пономарев, Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, И. С. Васильевский, А. А. Зайцев, А. И. Данилов, О. Ю. Волков, В. В. Павловский, К. В. Маремьянин, В. И. Гавриленко, “Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1268–1273; Semiconductors, 52:11 (2018), 1380–1385
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhaShcPon18}
\by Р.~А.~Хабибуллин, Н.~В.~Щаврук, Д.~С.~Пономарев, Д.~В.~Ушаков, А.~А.~Афоненко, И.~С.~Васильевский, А.~А.~Зайцев, А.~И.~Данилов, О.~Ю.~Волков, В.~В.~Павловский, К.~В.~Маремьянин, В.~И.~Гавриленко
\paper Температурная зависимость порогового тока и выходной мощности квантово-каскадного лазера с частотой генерации 3.3 ТГц
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1268--1273
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5678}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46581.03}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903596}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1380--1385
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618110118}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5678
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1268
    • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025