|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.
Экспериментальное исследование усиления спонтанной эмиссии в микрорезонаторах на основе таммовских плазмонов с органической активной областью
К. М. Морозовab, К. А. Ивановb, N. Seleninc, S. Mikhrinc, D. De Sa Pereirad, C. Menelaouc, A. P. Monkmanc, М. А. Калитеевскийabe a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Innolume GmbH, Dortmund, Germany
d Department of Physics, Durham University, Durham, United Kingdom
e Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Проведено теоретическое и экспериментальное исследование усиления спонтанной эмиссии излучения в микрорезонаторе на основе таммовского плазмона с активной областью из органического материала 4.4'-Bis($N$-carbazolyl)-1.1'-biphenyl (CBP). Микрорезонатор состоял из брэгговского отражателя из оксида кремния и оксида тантала, поверх которого были нанесены слои СВР и серебра. Были рассчитаны зависимости модального фактора Парселла от направления излучения и частоты, а также спектр фактора Парселла. Были измерены спектры излучения и затухания флуоресценции во времени в ультрафиолетовом диапазоне. Установлено, что на частотах, соответствующих собственным модам таммовского плазмона, вероятность спонтанной эмиссии увеличивается, максимальное значение фактора Парселла достигает трех.
Поступила в редакцию: 25.04.2018 Принята в печать: 07.05.2018
Образец цитирования:
К. М. Морозов, К. А. Иванов, N. Selenin, S. Mikhrin, D. De Sa Pereira, C. Menelaou, A. P. Monkman, М. А. Калитеевский, “Экспериментальное исследование усиления спонтанной эмиссии в микрорезонаторах на основе таммовских плазмонов с органической активной областью”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1308–1312; Semiconductors, 52:11 (2018), 1420–1423
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5686 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1308
|
|