Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1313–1316
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46590.12 (Mi phts5687) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Модификация ферромагнитных свойств тонких пленок Si$_{1-x}$Mn$_{x}$, синтезируемых методом импульсного лазерного осаждения при изменении давления буферного газа

О. А. Новодворскийa, В. А. Михалевскийa, Д. С. Гусевa, А. А. Лотинa, Л. С. Паршинаa, О. Д. Храмоваa, Е. А. Черебылоa, А. Б. Дровосековb, В. В. Рыльковcd, С. Н. Николаевc, К. Ю. Черноглазовc, К. И. Маслаковe

a Институт проблем лазерных и информационных технологий Российской академии наук – филиал ФНИЦ "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук, Шатура, Московская обл., Россия
b Институт физических проблем им. П. Л. Капицы РАН, г. Москва
c Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", г. Москва
d Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН
e Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
PDF полного текста (566 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46590.12
Аннотация: Изучена серия тонких пленок сплавов Si$_{1-x}$Mn$_{x}$ толщиной от 50 до 100 нм, выращенных методом импульсного лазерного осаждения на подложке Al$_{2}$O$_{3}$ в вакууме и в атмосфере аргона. Показано существенное влияние давления буферного газа в ростовой камере на структурную и магнитную однородность полученных пленок. Исследованы условия формирования в образцах ферромагнитной фазы с высокой температурой Кюри ($>$ 300 K). Методом зонда Ленгмюра определен порог абляции мишени MnSi излучением второй гармоники ($\lambda$ = 532 нм) Nd : YAG-лазера с модуляцией добротности. Получены времяпролетные кривые для ионов факела при изменении плотности энергии на мишени и давления аргона в напылительной камере. Установлена немонотонная зависимость амплитуды зондового времяпролетного сигнала от давления аргона для высокоэнергичных частиц факела.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российская академия наук - Федеральное агентство научных организаций 007-ГЗ/Ч3363/26
Российский фонд фундаментальных исследований 17-07-00615
18-07-00772
18-07-00756
15-29-01171
16-07-00657
16-07-00798
Работа выполнена при поддержке Федерального агентства научных организаций (соглашение № 007-ГЗ/Ч3363/26) в части "зондовых исследований факела при абляции мишени MnSi и синтеза тонких пленок Si$_{1-x}$ Mn$_x$" и грантов РФФИ № 17-07-00615, 18-07-00772, 18-07-00756, 15-29-01171, 16-07-00657, 16-07-00798 в части “исследования электрофизических и магнитных свойств полученных наноразмерных пленок”.
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 11, Pages 1424–1427
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618110179
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. А. Новодворский, В. А. Михалевский, Д. С. Гусев, А. А. Лотин, Л. С. Паршина, О. Д. Храмова, Е. А. Черебыло, А. Б. Дровосеков, В. В. Рыльков, С. Н. Николаев, К. Ю. Черноглазов, К. И. Маслаков, “Модификация ферромагнитных свойств тонких пленок Si$_{1-x}$Mn$_{x}$, синтезируемых методом импульсного лазерного осаждения при изменении давления буферного газа”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1313–1316; Semiconductors, 52:11 (2018), 1424–1427
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NovMikGus18}
\by О.~А.~Новодворский, В.~А.~Михалевский, Д.~С.~Гусев, А.~А.~Лотин, Л.~С.~Паршина, О.~Д.~Храмова, Е.~А.~Черебыло, А.~Б.~Дровосеков, В.~В.~Рыльков, С.~Н.~Николаев, К.~Ю.~Черноглазов, К.~И.~Маслаков
\paper Модификация ферромагнитных свойств тонких пленок Si$_{1-x}$Mn$_{x}$, синтезируемых методом импульсного лазерного осаждения при изменении давления буферного газа
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1313--1316
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5687}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46590.12}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903605}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1424--1427
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618110179}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5687
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1313
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025