Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1362–1365
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46599.21 (Mi phts5696) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C$_{2}$F$_{5}$Cl

А. И. Охапкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, Е. В. Скороходов, В. И. Шашкин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (724 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46599.21
Аннотация: Впервые проведено плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме хлорпентафторэтана (C$_{2}$F$_{5}$Cl) с учeтом пассивации поверхности продуктами распада реагента. Исследованы элементный состав осаждeнных покрытий, их плотность и морфологические свойства. Установлено, что наиболее гладкий профиль травления реализуется при использовании большого потока фреона и малой eмкостной мощности. В таком режиме анизотропия травления сохраняется на глубине 7 мкм при скорости процесса 230 нм/мин.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0035-2014-0205
Работа выполнена в рамках государственного задания ИФМ РАН, тема № 0035-2014-0205.
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 11, Pages 1473–1476
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618110180
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. И. Охапкин, П. А. Юнин, М. Н. Дроздов, С. А. Краев, Е. В. Скороходов, В. И. Шашкин, “Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C$_{2}$F$_{5}$Cl”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1362–1365; Semiconductors, 52:11 (2018), 1473–1476
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OkhYunDro18}
\by А.~И.~Охапкин, П.~А.~Юнин, М.~Н.~Дроздов, С.~А.~Краев, Е.~В.~Скороходов, В.~И.~Шашкин
\paper Плазмохимическое травление арсенида галлия в индуктивно-связанной плазме C$_{2}$F$_{5}$Cl
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1362--1365
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5696}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46599.21}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903614}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1473--1476
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618110180}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5696
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1362
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025