Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1373–1379
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46601.23 (Mi phts5698) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на гибридных подложках GaAs/Si

Д. С. Абрамкинab, М. О. Петрушковa, М. А. Путятоa, Б. Р. Семягинa, Т. С. Шамирзаевacb

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Уральский федеральный университет, г. Екатеринбург
PDF полного текста (604 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46601.23
Аннотация: Гетероструктуры с InAs/AlAs-квантовыми точками выращены на гибридных подложках GaAs/Si. В низкотемпературных (5–80 K) спектрах фотолюминесценции гетероструктур InAs/AlAs/GaAs/Si наблюдаются полосы, связанные с рекомбинацией экситонов в квантовых точках и смачивающем слое – тонкой квантовой яме, лежащей в основании массива квантовых точек. Температурное гашение фотолюминесценции квантовых точек обусловлено прямым захватом носителей заряда на дефекты в AlAs-матрице, локализованных в окрестности квантовых точек.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-72-10038
Работа выполнена при поддержке РНФ (проект № 17-72-10038).
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 11, Pages 1484–1490
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618110039
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Т. С. Шамирзаев, “Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на гибридных подложках GaAs/Si”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1373–1379; Semiconductors, 52:11 (2018), 1484–1490
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AbrPetPut18}
\by Д.~С.~Абрамкин, М.~О.~Петрушков, М.~А.~Путято, Б.~Р.~Семягин, Т.~С.~Шамирзаев
\paper Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на гибридных подложках GaAs/Si
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1373--1379
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5698}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46601.23}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903616}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1484--1490
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618110039}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5698
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1373
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025