Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 986–989
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46144.8718
(Mi phts5727)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Поверхностное дефектообразование в CdTe при воздействии излучения CO$_{2}$-лазера

П. С. Шкумбатюк

Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко
Аннотация: Исследовано действие непрерывного излучения СО$_{2}$-лазера на сколотую поверхность (110) CdTe. На основании анализа морфологии облучаемой и облученной поверхности показано, что образование наблюдаемых дефектов обусловлено испарением CdTe в области дислокаций.
Поступила в редакцию: 30.08.2017
Принята в печать: 10.10.2017
Английская версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 9, Pages 1110–1113
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618090178
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: П. С. Шкумбатюк, “Поверхностное дефектообразование в CdTe при воздействии излучения CO$_{2}$-лазера”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 986–989; Semiconductors, 52:9 (2018), 1110–1113
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Shk18}
\by П.~С.~Шкумбатюк
\paper Поверхностное дефектообразование в CdTe при воздействии излучения CO$_{2}$-лазера
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 986--989
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5727}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46144.8718}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903540}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1110--1113
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618090178}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5727
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p986
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:93
    PDF полного текста:49
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026