Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 1000–1005
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46147.8843
(Mi phts5730)
 

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Матричный синтез монодисперсных сферических нанокомпозитных частиц SiO$_{2}$/GaN:Eu$^{3+}$

Е. Ю. Стовпягаa, Д. А. Еуровa, Д. А. Курдюковa, А. Н. Смирновa, М. А. Яговкинаa, D. R. Yakovlevb, В. Г. Голубевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Experimentelle Physik 2, Technische Universität Dortmund, D-44227 Dortmund, Germany
Аннотация: Матричным методом получен нанокомпозит, представляющий собой монодисперсные сферические мезопористые частицы кремнезема (mSiO$_{2}$), заполненные GaN:Eu$^{3+}$. Метод основан на однократной пропитке пор частиц mSiO$_{2}$ расплавом кристаллогидрата нитратов галлия и европия (0.22 мас%), с последующим терморазложением и обработкой в атмосфере аммиака. Показано, что нанокомпозитные частицы содержат гексагональный GaN:Eu$^{3+}$, являются монодисперсными, имеют сферическую форму и не слипаются друг с другом. В спектрах фотолюминесценции нанокомпозитных частиц mSiO$_{2}$/GaN:Eu$^{3+}$ наблюдается группа линий, характерных для внутрицентровых переходов в ионах Eu$^{3+}$.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 15-52-12011
Deutsche Forschungsgemeinschaft ICRC TRR 160
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ (№ 15-52-12011) и DFG в рамках ICRC TRR 160.
Поступила в редакцию: 12.02.2018
Принята в печать: 19.02.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 9, Pages 1123–1128
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618090208
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Ю. Стовпяга, Д. А. Еуров, Д. А. Курдюков, А. Н. Смирнов, М. А. Яговкина, D. R. Yakovlev, В. Г. Голубев, “Матричный синтез монодисперсных сферических нанокомпозитных частиц SiO$_{2}$/GaN:Eu$^{3+}$”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1000–1005; Semiconductors, 52:9 (2018), 1123–1128
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{StoEurKur18}
\by Е.~Ю.~Стовпяга, Д.~А.~Еуров, Д.~А.~Курдюков, А.~Н.~Смирнов, М.~А.~Яговкина, D.~R.~Yakovlev, В.~Г.~Голубев
\paper Матричный синтез монодисперсных сферических нанокомпозитных частиц SiO$_{2}$/GaN:Eu$^{3+}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1000--1005
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5730}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46147.8843}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903543}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1123--1128
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618090208}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5730
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p1000
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025