|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Матричный синтез монодисперсных сферических нанокомпозитных частиц SiO$_{2}$/GaN:Eu$^{3+}$
Е. Ю. Стовпягаa, Д. А. Еуровa, Д. А. Курдюковa, А. Н. Смирновa, М. А. Яговкинаa, D. R. Yakovlevb, В. Г. Голубевa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Experimentelle Physik 2, Technische Universität Dortmund,
D-44227 Dortmund, Germany
Аннотация:
Матричным методом получен нанокомпозит, представляющий собой монодисперсные сферические мезопористые частицы кремнезема (mSiO$_{2}$), заполненные GaN:Eu$^{3+}$. Метод основан на однократной пропитке пор частиц mSiO$_{2}$ расплавом кристаллогидрата нитратов галлия и европия (0.22 мас%), с последующим терморазложением и обработкой в атмосфере аммиака. Показано, что нанокомпозитные частицы содержат гексагональный GaN:Eu$^{3+}$, являются монодисперсными, имеют сферическую форму и не слипаются друг с другом. В спектрах фотолюминесценции нанокомпозитных частиц mSiO$_{2}$/GaN:Eu$^{3+}$ наблюдается группа линий, характерных для внутрицентровых переходов в ионах Eu$^{3+}$.
Поступила в редакцию: 12.02.2018 Принята в печать: 19.02.2018
Образец цитирования:
Е. Ю. Стовпяга, Д. А. Еуров, Д. А. Курдюков, А. Н. Смирнов, М. А. Яговкина, D. R. Yakovlev, В. Г. Голубев, “Матричный синтез монодисперсных сферических нанокомпозитных частиц SiO$_{2}$/GaN:Eu$^{3+}$”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1000–1005; Semiconductors, 52:9 (2018), 1123–1128
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5730 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p1000
|
|