Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 7, страницы 686–693
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46035.8760
(Mi phts5773)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Кинетика изменения концентраций магнитных ионов примеси в сплавах Pb$_{1-x-y}$Sn$_{x}$V$_{y}$Te при легировании

Е. П. Скипетровab, Н. С. Константиновa, Л. А. Скипетроваa, А. В. Кнотькоbc, В. Е. Слынькоd

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, факультет наук о материалах
c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет
d Институт проблем материаловедения им. И. Н. Францевича НАН Украины, г. Киев
Аннотация: Исследованы полевые и температурные зависимости намагниченности (магнитные поля $B\le$ 7.5 Тл, температуры $T$ = 2.0–75 K) образцов из монокристаллического слитка Pb$_{1-x-y}$Sn$_{x}$V$_{y}$Te ($x$ = 0.08, $y$ = 0.01), синтезированного методом Бриджмена. Установлено, что намагниченность образцов содержит два основных вклада: парамагнетизм ионов ванадия и диамагнетизм кристаллической решетки. Полевые и температурные зависимости намагниченности аппроксимированы суммой модифицированных функций Бриллюэна, соответствующих парамагнитным вкладам ионов ванадия в двух разных зарядовых состояниях, и линейного по полю диамагнитного вклада. В рамках модели перестройки электронной структуры сплавов при легировании определены концентрации ионов ванадия в двух разных магнитных состояниях и характер их изменения вдоль слитка. Проведено сопоставление полученных результатов с данными рентгенофлюоресцентного микроанализа и результатами исследования гальваномагнитных свойств образцов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-02-00865
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 16-02-00865).
Поступила в редакцию: 31.10.2017
Принята в печать: 08.11.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 7, Pages 828–835
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618070217
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. П. Скипетров, Н. С. Константинов, Л. А. Скипетрова, А. В. Кнотько, В. Е. Слынько, “Кинетика изменения концентраций магнитных ионов примеси в сплавах Pb$_{1-x-y}$Sn$_{x}$V$_{y}$Te при легировании”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 686–693; Semiconductors, 52:7 (2018), 828–835
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SkiKonSki18}
\by Е.~П.~Скипетров, Н.~С.~Константинов, Л.~А.~Скипетрова, А.~В.~Кнотько, В.~Е.~Слынько
\paper Кинетика изменения концентраций магнитных ионов примеси в сплавах Pb$_{1-x-y}$Sn$_{x}$V$_{y}$Te при легировании
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 686--693
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5773}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46035.8760}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269395}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 828--835
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618070217}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5773
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i7/p686
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025