Излучательная рекомбинация, захват носителей заряда на ловушки и релаксация фототока в PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон

На основании представлений о том, что PbSnTe : In является прямозонным полупроводником, выполнены расчеты времени жизни излучательной рекомбинации, а в предположении, что PbSnTe : In это неупорядоченная структура, в которой существуют центры захвата, рассчитана релаксация фототока и зависимости мгновенного времени жизни электронов и дырок. Приведенные расчеты объясняют такие наблюдаемые в эксперименте особенности PbSnTe : In, как высокая фоточувствительность в широком диапазоне длин волн, стабилизация уровня Ферми, долговременная релаксация фототока. Проведено также сравнение расчетов с экспериментальными данными и оценка возможных параметров фотоприемников.