Влияние примеси бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si$^{+}$

Исследовано влияние имплантации бора на излучательные свойства дислокационных структур в кремнии, сформированных путем имплантации ионов Si$^{+}$ с последующим отжигом. Показано, что имплантация ионов B$^{+}$ существенным образом влияет как на интенсивность и состав спектра дислокационной люминесценции, так и на ход температурной зависимости интенсивности полосы D1. Обнаружено, что зависимость не является монотонной и имеет две области возрастания интенсивности полосы D1 с ростом температуры, образуя максимумы при 20 и 60–70 K на температурной зависимости. Максимум при 20 K связан с особенностями морфологии исследуемой дислокационной структуры, в то время как максимум при 60–70 K связан с дополнительной имплантацией примеси бора в дислокационную область образцов. Установлено, что интенсивности наблюдаемых максимумов, а также положение высокотемпературного максимума зависят от концентрации имплантированных ионов B$^{+}$.