Исследование методом спектроскопии фотоотражения слоев LT-GaAs, выращенных на подложках Si и GaAs

Методом спектроскопии фотоотражения исследованы механические напряжения и плотности зарядовых состояний слоев LT-GaAs (LT – low temperature), выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках Si(100) и GaAs(100). В спектрах фотоотражения структур Si/LT-GaAs присутствуют линии от фундаментального перехода GaAs $(E_{g})$ в окрестности значения энергии 1.37 эВ, связанные с переходом между дном зоны проводимости и спин-орбитально отщепленной подзоной валентной зоны $(E_{g}+\Delta_{SO})$ при 1.82 эВ. Обнаружено, что линия $E_{g}$ сдвинута в область меньших энергий, а линия $E_{g}+\Delta_{SO}$ – в область больших энергий в сравнении с соответствующими линиями спектров образцов GaAs/LT-GaAs. Сравнительные исследования спектров Si/LT-GaAs и GaAs/LT-GaAs позволили оценить механические напряжения в слоях LT-GaAs, выращенных на Si (по величине сдвига спектральных линий) и плотность зарядовых состояний на гетероинтерфейсе GaAs/Si (по периоду осцилляций Франца–Келдыша).