In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства

Исследованы особенности роста In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As-квантовых точек на поверхности GaAs и их массивов методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений и гидридов. С помощью исследования спектров фотолюминесценции при различных температурах было установлено бимодальное распределение In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As-квантовых точек по размерам. Были найдены параметры роста, при которых складирование 20 слоев In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As-квантовых точек в активную область GaAs-фотопреобразователя позволяет увеличить его фотогенерированный ток на 0.97 и 0.77 мА/см$^{2}$ для космического и наземного солнечных спектров соответственно, при сохранении высокого качества $p$–$n$-перехода. С учетом потерь на безызлучательную рекомбинацию, возникающих вследствие механических напряжений от массива квантовых точек, прирост фотогенерированного тока в фотопреобразователе с квантовыми точками составил $\sim$1% относительно референсной структуры GaAs-фотопреобразователя.