Влияние импульсного гамма-нейтронного облучения на фоточувствительность фотодиодов на базе Si с наноостровками GeSi и эпитаксиальными слоями Ge

Приведены результаты сравнительного исследования влияния импульсного $\gamma$-нейтронного облучения на спектры фоточувствительности Si $p$–$n$-фотодиодов с активной областью на базе массивов самоформирующихся наноостровков GeSi и эпитаксиальных слоев Ge. Установлено, что облучение фотодиодов с наноостровками GeSi не приводит к деградации фоточувствительности в спектральной области межзонного оптического поглощения в наноостровках (диапазон длин волн 1.1–1.7 мкм). В то же время обнаружено монотонное ослабление собственной фоточувствительности Si, а также фоточувствительности фотодиодов на базе эпитаксиальных слоев Ge с ростом дозы облучения, связанное с накоплением радиационных дефектов в матрице Si и в глубине эпитаксиальных слоев Ge соответственно.