|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Диэлектрические свойства и электропроводность легированного серебром монокристалла TlGaS$_{2}$
С. Н. Мустафаеваa, С. М. Асадовb, Э. М. Керимоваa a Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
b Институт катализа и неорганической химии НАН Азербайджана, г. Баку
Аннотация:
Исследовано влияние ионов серебра (2 мол%) на диэлектрические свойства и электропроводность выращенных методом Бриджмена–Стокбаргера монокристаллов TlGaS$_{2}$. Экспериментальные результаты по изучению частотной дисперсии диэлектрических коэффициентов монокристаллов TlGaS$_{2}\langle$2 мол% Ag$\rangle$ позволили установить природу диэлектрических потерь, механизм переноса заряда, оценить плотность состояний вблизи уровня Ферми, их разброс, среднее время и среднюю длину прыжков, а также концентрацию глубоких ловушек, ответственных за проводимость на переменном токе. Легирование монокристалла TlGaS$_{2}$ серебром приводило к увеличению плотности состояний вблизи уровня Ферми и уменьшению среднего времени и длины прыжков.
Поступила в редакцию: 17.01.2017 Принята в печать: 26.06.2017
Образец цитирования:
С. Н. Мустафаева, С. М. Асадов, Э. М. Керимова, “Диэлектрические свойства и электропроводность легированного серебром монокристалла TlGaS$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 167–170; Semiconductors, 52:2 (2018), 156–159
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5911 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i2/p167
|
|