Особенности селективного легирования марганцем GaAs структур

Исследовано влияние технологических параметров на селективное легирование марганцем арсенид-галлиевых гетероструктур, изготавливаемых сочетанием методов МОС-гидридной эпитаксии и импульсного лазерного нанесения. В качестве этих параметров использованы: содержание примеси в $\delta$-слое марганца и температура формирования структуры. Установлено, что при температуре выращивания $\sim$400$^\circ$C и содержании примеси не более 0.2–0.3 монослоя изготовленные структуры демонстрируют наибольшую электрическую активность и обладают ферромагнитными свойствами. Изучение выращенных структур методами спектроскопии отражения, высокоразрешающей просвечивающей электронной микроскопии и вторичной ионной масс-спектрометрии показало, что применение указанных выше условий при импульсном лазерном нанесении позволяет получать арсенид-галлиевые структуры, которые имеют хорошее кристаллическое качество, а марганец в таких структурах сосредоточен в тонком (7–8 нм) слое без существенного диффузионного размытия и сегрегации.