Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11, страницы 1489–1492
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45096.10 (Mi phts5993) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов

И. Ю. Забавичевa, Е. С. Оболенскаяa, А. А. Потехинa, А. С. Пузановa, С. В. Оболенскийa, В. А. Козловab

a Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (163 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45096.10
URL: https://journals.ioffe.ru/ftp/2017/11/page-1489.html.ru
Аннотация: Проведен расчет распределений радиусов и расстояний между ядрами субкластеров радиационных дефектов в Si, GaAs и GaN. Обсуждаются особенности транспорта горячих носителей заряда в облученных нейтронами материалах. Впервые рассчитан всплеск скорости электронов в Si, GaAs, InGaAs и GaN до и после радиационного воздействия и проведено сравнение силы проявления указанного эффекта в различных полупроводниковых материалах.
Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 11, Pages 1435–1438
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617110288
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Ю. Забавичев, Е. С. Оболенская, А. А. Потехин, А. С. Пузанов, С. В. Оболенский, В. А. Козлов, “Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1489–1492; Semiconductors, 51:11 (2017), 1435–1438
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZabOboPot17}
\by И.~Ю.~Забавичев, Е.~С.~Оболенская, А.~А.~Потехин, А.~С.~Пузанов, С.~В.~Оболенский, В.~А.~Козлов
\paper Транспорт горячих носителей заряда в Si, GaAs, InGaAs и GaN субмикронных полупроводниковых структурах с нанометровыми кластерами радиационных дефектов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1489--1492
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5993}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45096.10}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30546386}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1435--1438
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617110288}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5993
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i11/p1489
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025