Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11, страницы 1557–1564
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45111.25 (Mi phts6008) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Релаксация энергии в квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора

Д. В. Хомицкий, Е. А. Лаврухина, А. А. Чубанов, Н. Нжийа

Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (231 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45111.25
URL: https://journals.ioffe.ru/ftp/2017/11/page-1557.html.ru
Аннотация: Выполнен расчeт скорости релаксации энергии для переходов с участием фононов в квантовых точках различного размера, созданных магнитными барьерами на краe двумерного топологического изолятора на базе квантовой ямы HgTe/CdTe. Рассматривается релаксация как в дискретный, так и в непрерывный спектр краевых состояний, а также в состояния непрерывного спектра объeмного образца. Полученные результаты свидетельствуют о существовании области параметров структуры, обеспечивающей сравнительно медленную релаксацию энергии, что говорит о перспективности данных объектов, в том числе для создания новых типов твердотельных кубитов.
Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 11, Pages 1505–1512
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261711015X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. В. Хомицкий, Е. А. Лаврухина, А. А. Чубанов, Н. Нжийа, “Релаксация энергии в квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1557–1564; Semiconductors, 51:11 (2017), 1505–1512
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhoLavChu17}
\by Д.~В.~Хомицкий, Е.~А.~Лаврухина, А.~А.~Чубанов, Н.~Нжийа
\paper Релаксация энергии в квантовой точке на крае двумерного топологического изолятора
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1557--1564
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6008}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45111.25}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30546402}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1505--1512
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261711015X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6008
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i11/p1557
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025