Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11, страницы 1574–1578
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45114.29 (Mi phts6011) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой

А. Н. Акимовa, А. Э. Климовba, Н. С. Пащинa, А. С. Ярошевичa, М. Л. Савченкоa, В. С. Эповa, Е. В. Федосенкоa

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный технический университет
PDF полного текста (136 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45114.29
URL: https://journals.ioffe.ru/ftp/2017/11/page-1574.html.ru
Аннотация: Исследованы пленки PbSnTe:In с длинноволновой границей чувствительности свыше 20 мкм и низкой проводимостью без освещения. Проведено сравнение спектральных зависимостей фотопроводимости, полученных при различных температурах с использованием фурье-спектрометра, с составом пленок, определенным методом рентгеновского микроанализа. Обнаружена немонотонная зависимость длинноволнового края фоточувствительности от температуры, которая объясняется комбинацией температурной зависимости ширины запрещенной зоны PbSnTe и эффекта Бурштейна–Мосса, дающего наибольший вклад в измерения при низких температурах из-за большого времени жизни неравновесных носителей заряда. Показано, что различия в значениях ширины запрещенной зоны, определяемых из измеренного состава и температурных зависимостей длинноволнового края чувствительности, могут быть связаны с неоднородностью состава пленок, получаемых методом молекулярно-лучевой эпитаксии.
Поступила в редакцию: 27.04.2017
Принята в печать: 12.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 11, Pages 1522–1526
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617110033
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Акимов, А. Э. Климов, Н. С. Пащин, А. С. Ярошевич, М. Л. Савченко, В. С. Эпов, Е. В. Федосенко, “Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1574–1578; Semiconductors, 51:11 (2017), 1522–1526
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AkiKliPsc17}
\by А.~Н.~Акимов, А.~Э.~Климов, Н.~С.~Пащин, А.~С.~Ярошевич, М.~Л.~Савченко, В.~С.~Эпов, Е.~В.~Федосенко
\paper Связь длинноволновой границы чувствительности пленок PbSnTe:In, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с их составом и структурой
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1574--1578
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6011}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45114.29}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30546405}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1522--1526
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617110033}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6011
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i11/p1574
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025