Релаксация фотосенсибилизированных метастабильных центров захвата в халькогенидных стеклах As$-$Se

Экспериментально исследованы процессы переноса заряда в отожженных слоях As$_{x}$Se$_{100-x}$ (${0\leqslant x\leqslant 40}$). Обнаружено значительное изменение формы сигнала переходного тока, обусловленное предварительной засветкой образца. Показано, что релаксация фотоиндуцированных изменений оптических параметров хорошо коррелирует с релаксацией амплитуды сигнала дрейфа носителей в экспонированном образце. Наблюдаемые особенности фотостимулированных изменений транспортных свойств слоев As$_{x}$Se$_{100-x}$ связываются с изменением эффективности захвата носителей глубокими дефектными центрами.