Особенности ионно-лучевого синтеза нанокристаллов Ge в тонких пленках SiO$_{2}$

Изучены закономерности формирования нанокристаллов германия в тонких пленках SiO$_{2}$, имплантированных ионами Ge$^{+}$ при высокотемпературном отжиге (1130$^\circ$C), в зависимости от величины гидростатического давления. Установлено, что отжиг при атмосферном давлении сопровождается диффузией атомов германия из области имплантации в подложку Si и не приводит к формированию нанокристаллов Ge. Увеличение давления во время отжига приводит к замедлению диффузии германия в кремний и сопровождается формированием двойниковых ламелей на границе раздела Si/SiO$_{2}$ (при давлениях $\sim$10$^{3}$ бар) либо зарождением и ростом нанокристаллов Ge (при давлениях $\sim$10$^{4}$ бар) в пленке SiO$_{2}$. Полученные результаты обсуждаются с точки зрения изменения активационного объема образования и миграции точечных дефектов в условиях сжатия.