Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 8, страницы 1071–1074
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44791.8484
(Mi phts6071)
 

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Монокристаллы Mn$_{0.1}$Ag$_{0.9}$In$_{4.7}$S$_{7.6}$: кристаллическая структура, ширина запрещенной зоны и тепловое расширение

И. В. Боднарь, Чан Бинь Тхан

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Аннотация: Методом Бриджмена (вертикальный вариант) впервые выращены монокристаллы Mn$_{0.1}$Ag$_{0.9}$In$_{4.7}$S$_{7.6}$. Полученные монокристаллы кристаллизуются в кубической структуре шпинели. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения при $T$ = 295 и 80 K определена ширина запрещенной зоны указанных монокристаллов. Дилатометрическим методом исследовано тепловое расширение в интервале температур 80–500 K, рассчитаны коэффициенты теплового расширения, температуры Дебая и среднеквадратичные динамические смещения атомов.
Поступила в редакцию: 13.12.2016
Принята в печать: 01.02.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 8, Pages 1027–1030
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617080036
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Боднарь, Чан Бинь Тхан, “Монокристаллы Mn$_{0.1}$Ag$_{0.9}$In$_{4.7}$S$_{7.6}$: кристаллическая структура, ширина запрещенной зоны и тепловое расширение”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1071–1074; Semiconductors, 51:8 (2017), 1027–1030
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BonTkh17}
\by И.~В.~Боднарь, Чан~Бинь~Тхан
\paper Монокристаллы Mn$_{0.1}$Ag$_{0.9}$In$_{4.7}$S$_{7.6}$: кристаллическая структура, ширина запрещенной зоны и тепловое расширение
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1071--1074
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6071}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.08.44791.8484}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29938284}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 8
\pages 1027--1030
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617080036}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6071
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i8/p1071
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025