Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7, страницы 908–911
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44639.25 (Mi phts6096) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Перспективы использования гексаборидов редких земель в термоэлектрических однофотонных детекторах

А. С. Кузанянa, А. А. Кузанянa, В. Р. Никогосянa, В. Н. Гуринb, М. П. Волковb

a Институт физических исследований НАН Армении, Аштарак, Армения
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (193 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44639.25
URL: https://journals.ioffe.ru/ftp/2017/07/page-908.html.ru
Аннотация: Анализируются результаты компьютерного моделирования процессов распространения тепла, протекающих после поглощения одиночных фотонов с энергией 1 эВ–1 кэВ в трехслойном сенсоре термоэлектрического детектора. Рассмотрены различные геометрии сенсора с вольфрамовым поглотителем, термоэлектрическим слоем из гексаборида церия и вольфрамовым теплоотводом. Показано, что посредством изменения геометрических размеров слоев сенсора можно получать датчики для регистрации фотонов конкретного спектрального диапазона с необходимыми энергетическим разрешением и скоростью счета. Сделан вывод, что трехслойный сенсор имеет ряд преимуществ по сравнению с однослойным сенсором и обладает характеристиками, позволяющими рассматривать термоэлектрический детектор как реальную альтернативу сверхпроводящим однофотонным детекторам.
Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 7, Pages 870–873
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617070235
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. С. Кузанян, А. А. Кузанян, В. Р. Никогосян, В. Н. Гурин, М. П. Волков, “Перспективы использования гексаборидов редких земель в термоэлектрических однофотонных детекторах”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 908–911; Semiconductors, 51:7 (2017), 870–873
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KuzKuzNik17}
\by А.~С.~Кузанян, А.~А.~Кузанян, В.~Р.~Никогосян, В.~Н.~Гурин, М.~П.~Волков
\paper Перспективы использования гексаборидов редких земель в термоэлектрических однофотонных детекторах
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 908--911
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6096}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44639.25}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29772354}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 870--873
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617070235}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6096
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i7/p908
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025