Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7, страницы 917–920
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44642.28 (Mi phts6099) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Гальваномагнитные свойства пленок висмута, имеющих тонкое покрытие или подслой из сурьмы

Н. С. Каблукова, В. А. Комаров, Д. О. Сканченко, Е. С. Макарова, Е. В. Демидов

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (528 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44642.28
URL: https://journals.ioffe.ru/ftp/2017/07/page-917.html.ru
Аннотация: Проведено исследование влияния модификации поверхностей тонких пленок висмута слоем сурьмы толщиной 10 нм. Сравнивались три типа структур на подложках из слюды: пленка висмута, слой сурьмы как подслой пленки висмута; слой сурьмы как покрытие пленки висмута. Выявлено существенное различие гальваномагнитных свойств полученных структур в зависимости от положения слоя сурьмы в структуре и толщины пленки висмута.
Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 7, Pages 879–882
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617070168
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. С. Каблукова, В. А. Комаров, Д. О. Сканченко, Е. С. Макарова, Е. В. Демидов, “Гальваномагнитные свойства пленок висмута, имеющих тонкое покрытие или подслой из сурьмы”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 917–920; Semiconductors, 51:7 (2017), 879–882
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KabKomSka17}
\by Н.~С.~Каблукова, В.~А.~Комаров, Д.~О.~Сканченко, Е.~С.~Макарова, Е.~В.~Демидов
\paper Гальваномагнитные свойства пленок висмута, имеющих тонкое покрытие или подслой из сурьмы
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 917--920
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6099}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44642.28}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29772357}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 879--882
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617070168}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6099
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i7/p917
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025