Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7, страницы 948–951
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44650.36 (Mi phts6107) 		 
Эта публикация цитируется в 22 научных статьях (всего в 22 статьях)

XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Термоэлектрические материалы для различных температурных уровней

Л. Д. Иванова

Институт металлургии и материаловедения им. А. А. Байкова РАН
PDF полного текста (94 kB) Список цитирования (22)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44650.36
URL: https://journals.ioffe.ru/ftp/2017/07/page-948.html.ru
Аннотация: На основе анализа современной научно-технической литературы рассмотрены материалы для термоэлектрических устройств, работающих при различных температурах в интервале от 100 до 1300 K. Основное внимание уделено получению наноструктурных термоэлектрических материалов. Установлено, что наиболее перспективными методами получения таких материалов являются методы спиннигования расплава, искрового плазменного спекания и экструзия.
Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 7, Pages 909–912
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617070132
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Л. Д. Иванова, “Термоэлектрические материалы для различных температурных уровней”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 948–951; Semiconductors, 51:7 (2017), 909–912
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Iva17}
\by Л.~Д.~Иванова
\paper Термоэлектрические материалы для различных температурных уровней
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 948--951
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6107}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44650.36}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29772365}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 909--912
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617070132}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6107
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i7/p948
    • Эта публикация цитируется в следующих 22 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025