Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 7, страницы 959–962
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44653.39 (Mi phts6110) 		 
XV Международная конференция ''Термоэлектрики и их применения-2016'', Санкт-Петербург, 15-16 ноября 2016 г.

Получение и свойства термоэлектрического материала на основе Zn$_{4}$Sb$_{3}$

В. П. Панченкоab, Н. Ю. Табачковаb, А. А. Ивановa, Б. Р. Сенатулинb, Е. А. Андреевb

a АО "Гиредмет", Москва, Россия
b Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
PDF полного текста (108 kB) Английская версия
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44653.39
URL: https://journals.ioffe.ru/ftp/2017/07/page-959.html.ru
Аннотация: Проведено исследование влияния условий синтеза на структуру и термоэлектрические свойства материалов на основе антимонида цинка. Рассмотрены вопросы, касающиеся влияния избыточного Zn, режимов искрового плазменного спекания и легирования In на фазовый состав и термостабильность свойств полученного материала. Материал получали методом прямого сплавления компонентов с последующим искровым плазменным спеканием. Показано, что при определенных режимах искрового плазменного спекания введение избыточного количества Zn и легирование In позволяют получить материал $\beta$-Zn$_{4}$Sb$_{3}$ со значением термоэлектрической эффективности $ZT\approx$ 1.47 при температуре 720 K, который показал стабильность свойств в рамках проведенных испытаний.
Поступила в редакцию: 27.12.2016
Принята в печать: 12.01.2017
Английская версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 7, Pages 920–923
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617070314
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. П. Панченко, Н. Ю. Табачкова, А. А. Иванов, Б. Р. Сенатулин, Е. А. Андреев, “Получение и свойства термоэлектрического материала на основе Zn$_{4}$Sb$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 959–962; Semiconductors, 51:7 (2017), 920–923
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{PanTabIva17}
\by В.~П.~Панченко, Н.~Ю.~Табачкова, А.~А.~Иванов, Б.~Р.~Сенатулин, Е.~А.~Андреев
\paper Получение и свойства термоэлектрического материала на основе Zn$_{4}$Sb$_{3}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 959--962
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6110}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.07.44653.39}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29772368}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 7
\pages 920--923
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617070314}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6110
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i7/p959
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:83
    PDF полного текста:52
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2026