|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
О пределе инжектирующей способности кремниевых $p^{+}$–$n$-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов
Т. Т. Мнацакановa, М. Е. Левинштейнb, В. Б. Шуманb, Б. М. Серединc a Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина, Москва, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М. И. Платова, Новочеркасск, Россия
Аннотация:
С учетом совокупности нелинейных физических эффектов: электронно-дырочного рассеяния, оже-рекомбинации, сужения ширины запрещенной зоны, нелинейной зависимости времени жизни и подвижности носителей от легирования получены аналитические выражения, описывающие зависимости тока утечки $p^{+}$–$n$-перехода от уровня легирования $p^{+}$-области. Показано, что эта зависимость имеет минимум, при котором инжекционная способность перехода максимальна. Проанализирована зависимость положения точки экстремума от основных параметров сильно легированного материала. Полученные результаты позволяют оптимизировать структуру мощных кремниевых приборов и облегчить адекватность оценки численных расчетов.
Поступила в редакцию: 08.09.2016 Принята в печать: 30.11.2016
Образец цитирования:
Т. Т. Мнацаканов, М. Е. Левинштейн, В. Б. Шуман, Б. М. Середин, “О пределе инжектирующей способности кремниевых $p^{+}$–$n$-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 830–834; Semiconductors, 51:6 (2017), 798–802
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6142 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i6/p830
|
|