Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 6, страницы 830–834
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44564.8403
(Mi phts6142)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

О пределе инжектирующей способности кремниевых $p^{+}$$n$-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов

Т. Т. Мнацакановa, М. Е. Левинштейнb, В. Б. Шуманb, Б. М. Серединc

a Всероссийский электротехнический институт им. В. И. Ленина, Москва, Россия
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М. И. Платова, Новочеркасск, Россия
Аннотация: С учетом совокупности нелинейных физических эффектов: электронно-дырочного рассеяния, оже-рекомбинации, сужения ширины запрещенной зоны, нелинейной зависимости времени жизни и подвижности носителей от легирования получены аналитические выражения, описывающие зависимости тока утечки $p^{+}$$n$-перехода от уровня легирования $p^{+}$-области. Показано, что эта зависимость имеет минимум, при котором инжекционная способность перехода максимальна. Проанализирована зависимость положения точки экстремума от основных параметров сильно легированного материала. Полученные результаты позволяют оптимизировать структуру мощных кремниевых приборов и облегчить адекватность оценки численных расчетов.
Поступила в редакцию: 08.09.2016
Принята в печать: 30.11.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 6, Pages 798–802
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617060227
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Т. Т. Мнацаканов, М. Е. Левинштейн, В. Б. Шуман, Б. М. Середин, “О пределе инжектирующей способности кремниевых $p^{+}$$n$-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 830–834; Semiconductors, 51:6 (2017), 798–802
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{МnaLevShu17}
\by Т.~Т.~Мнацаканов, М.~Е.~Левинштейн, В.~Б.~Шуман, Б.~М.~Середин
\paper О пределе инжектирующей способности кремниевых $p^{+}$--$n$-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 830--834
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6142}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.06.44564.8403}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404952}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 6
\pages 798--802
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617060227}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6142
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i6/p830
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025