Имитационное моделирование реверсивно-включаемых динисторов в режимах со сниженным порогом первичного запуска

Предложен и детально исследован методами имитационного моделирования новый способ включения реверсивно-включаемых динисторов (РВД) в субмикросекундные режимы с высокими скоростями нарастания коммутируемого тока при существенном снижении порога первичного запуска. В вычислительной задаче учитывались все значимые физические законы для пространственно-распределенных и дискретных элементов РВД-коммутатора, в том числе нелокальное изохронное взаимодействие между рабочими объемами реверсивно-включаемых динисторов или включающих фотодиодных оптронов и компонентами внешних цепей. Результаты моделирования подтвердили возможность практического достижения для реверсивно-включаемых динисторов скоростей нарастания тока вплоть до $dJ/dt$ = 3 $\cdot$ 10$^{10}$ А $\cdot$ см$^{-2}$ $\cdot$ c$^{-1}$ в схемах на основе включающих полупроводниковых ключей малой мощности при пороге первичного запуска относительно реверсивно инжектированного заряда плотностью всего 1–2 мкКл/см$^{2}$. Эти показатели ранее рассматривались только как теоретический предел, недостижимый в субмикросекундном диапазоне для реальных ключей тиристорного типа.