Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 5, страницы 594–599
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44412.8353 (Mi phts6151) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Пикосекундная релаксация перенормировки запрещенной зоны GaAs, вызванной кулоновским взаимодействием носителей заряда

Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва
PDF полного текста (300 kB) Список цитирования (7)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44412.8353
URL: https://journals.ioffe.ru/ftp/2017/05/page-594.html.ru
Аннотация: Экспериментально исследовалась динамика длинноволнового края спектра собственного стимулированного пикосекундного излучения, возникающего во время пикосекундной накачки GaAs. Обнаружен дефицит перенормировки запрещенной зоны, вызванной кулоновским взаимодействием носителей заряда, по сравнению с перенормировкой в квазистационарном состоянии. Предполагается, что дефицит обусловлен тем, что в условиях настоящего эксперимента время релаксации перенормировки относится к пикосекундному диапазону.
Поступила в редакцию: 28.09.2016
Принята в печать: 07.11.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 5, Pages 565–570
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617050025
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов, “Пикосекундная релаксация перенормировки запрещенной зоны GaAs, вызванной кулоновским взаимодействием носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 594–599; Semiconductors, 51:5 (2017), 565–570
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AgeBroZab17}
\by Н.~Н.~Агеева, И.~Л.~Броневой, Д.~Н.~Забегаев, А.~Н.~Кривоносов
\paper Пикосекундная релаксация перенормировки запрещенной зоны GaAs, вызванной кулоновским взаимодействием носителей заряда
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 594--599
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6151}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.05.44412.8353}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404908}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 5
\pages 565--570
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617050025}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6151
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i5/p594
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025