|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Причина расхождения экспериментальных значений высоты барьера на контакте металл–полупроводник
Ш. Г. Аскеров, Л. К. Абдуллаева, М. Г. Гасанов Бакинский государственный университет, Институт физических проблем
Аннотация:
Сделана попытка объяснить причину расхождения высоты барьера для одного и того же контакта металл–полупроводник в работах различных авторов. Предполагалось, что эта проблема в основном связана со структурной неоднородностью металла, в результате чего контакт становится параллельным соединением многочисленных субконтактов, имеющих различные параметры. Для выявления влияния неоднородности металла на свойства контакта исследована зависимость высоты барьера диодов Шоттки от площади контакта. Предполагалось, что в случае контакта монокристаллического полупроводника с поликристаллическим металлом c ростом площади растут степень неоднородности и соответственно число субконтактов.
Поступила в редакцию: 20.09.2016 Принята в печать: 11.09.2016
Образец цитирования:
Ш. Г. Аскеров, Л. К. Абдуллаева, М. Г. Гасанов, “Причина расхождения экспериментальных значений высоты барьера на контакте металл–полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 620–622; Semiconductors, 51:5 (2017), 591–593
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6156 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i5/p620
|
|