Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 1, страницы 111–115
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.44005.8318
(Mi phts6267)
 

Эта публикация цитируется в 14 научных статьях (всего в 14 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Наноразмерные пленки Cu$_{2}$O: формирование методом ВЧ-магнетронного распыления, исследование структурных и оптических свойств

Д. А. Кудряшовa, А. С. Гудовскихab, А. В. Бабичевcde, А. В. Филимоновc, А. М. Можаровa, В. Ф. Агекянf, Е. В. Борисовf, А. Ю. Серовf, Н. Г. Философовf

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
e Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
f Санкт-Петербургский государственный университет
Аннотация: Методом магнетронного распыления сформированы наноразмерные слои оксида меди (I) на стеклянных и кремниевых подложках при комнатной температуре в бескислородной среде и проведены исследования их структурных и оптических свойств. Показано, что на кремниевой подложке происходит формирование оксида меди с меньшей разупорядоченностью, нежели на стекле, это подтверждается большей интенсивностью и меньшей полушириной рефлексов дифрактометрической кривой. Наибольшая интенсивность рефлексов дифрактометрической кривой наблюдается для пленок Cu$_{2}$O, выращенных на кремнии при мощности магнетрона 150 Вт. Спектральная зависимость коэффициентов поглощения и пропускания этих же пленок Cu$_{2}$O согласуется с известными зависимостями для объемных кристаллов. В рамановских спектрах пленок идентифицированы фононы, соответствующие кристаллической решетке кубических кристаллов Cu$_{2}$O.
Поступила в редакцию: 10.05.2016
Принята в печать: 18.05.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 1, Pages 110–114
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617010110
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. А. Кудряшов, А. С. Гудовских, А. В. Бабичев, А. В. Филимонов, А. М. Можаров, В. Ф. Агекян, Е. В. Борисов, А. Ю. Серов, Н. Г. Философов, “Наноразмерные пленки Cu$_{2}$O: формирование методом ВЧ-магнетронного распыления, исследование структурных и оптических свойств”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 111–115; Semiconductors, 51:1 (2017), 110–114
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KudGudBab17}
\by Д.~А.~Кудряшов, А.~С.~Гудовских, А.~В.~Бабичев, А.~В.~Филимонов, А.~М.~Можаров, В.~Ф.~Агекян, Е.~В.~Борисов, А.~Ю.~Серов, Н.~Г.~Философов
\paper Наноразмерные пленки Cu$_{2}$O: формирование методом ВЧ-магнетронного распыления, исследование структурных и оптических свойств
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 111--115
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6267}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.01.44005.8318}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=28969415}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 1
\pages 110--114
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617010110}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6267
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i1/p111
  • Эта публикация цитируется в следующих 14 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025