Эпитаксиальные слои GaN на подложках лангасита, полученные методом МПЭ с плазменной активацией азота

Представлены результаты отработки технологии эпитаксиального роста GaN на подложках из монокристаллического лангасита La$_{3}$Ga$_{5}$SiO$_{14}$ (0001) методом МПЭ ПА. Выполнены исследования влияния температуры осаждаемого на начальном этапе низкотемпературного слоя GaN на кристаллическое качество и морфологию всего слоя нитрида галлия. Продемонстрировано, что оптимальная температура осаждения начального (зародышевого) слоя GaN при его росте на подложках из лангасита составляет $\sim$520$^\circ$C. Понижение температуры роста до этого значения позволяет подавить диффузию кислорода из лангасита в растущий слой и уменьшить плотность прорастающих дислокаций в основном слое GaN при его последующем более высокотемпературном осаждении ($\sim$700$^\circ$C). Дальнейшее понижение температуры роста зародышевого слоя приводит к резкой деградации кристаллического качества GaN/LGS слоев. В результате проведенных исследований были получены эпитаксиальные слои GaN/LGS с плотностью прорастающих дислокаций $\sim$10$^{11}$ см$^{-2}$ и низкой ($<$ 2 нм) шероховатостью поверхности.