Электромагнитное излучение электронов в гофрированном графене

Проанализировано тормозное электромагнитное излучение в гофрированном монослойном графене в присутствии транспортного тока в баллистическом режиме. Излучение подобной природы наблюдается в ондуляторе и вигглере. Рассмотрены случаи регулярной и хаотической гофрировки (ripples). Показано, что квадратичное соотношение монжевской мембранной функции и синтетического калибровочного поля ведет к появлению центрального пика спектральной функции излучения. Предложены возможные механизмы образования гофрировки монослойного графена. В первом из них гофрировка рассматривается как несоразмерная сверхструктура в двумерном кристалле, возникающая в результате развития неустойчивости в подсистеме оптических фононов с образованием периодической последовательности солитонов. Гофрировка возникает в результате взаимодействия подсистем. Другой возможный механизм состоит в неустойчивости плоского состояния мембраны благодаря сильным флуктуациям, характерным для двумерных систем.