Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3$C$-SiC(111)

Впервые исследованы электронные свойства наноинтерфейса Ва/SiC(111) методом фотоэлектронной спектроскопии с использованием синхротронного излучения в диапазоне энергий 80–450 эВ. Эксперименты проведены in situ в сверхвысоком вакууме при ультратонких Ва-покрытиях на образцах SiC(111), выращенных новым методом замещения атомов подложки. Обнаружено, что Ва-адсорбция вызывает появление индуцированных поверхностных состояний с энергиями связи 1.9, 6.2 и 7.5 эВ. Эволюция поверхностных состояний и спектров остовных уровней Si 2$p$ и C 1$s$ показывает, что формирование интерфейса Ba/SiC происходит за счет переноса заряда от адатомов Ba к поверхностным атомам кремния и нижерасположенным атомам углерода.