Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 331–338 (Mi phts6512)  
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после $\gamma$-нейтронного облучения

Е. А. Тарасоваa, A. B. Ханановаa, С. В. Оболенскийa, В. Е. Земляковb, Ю. Н. Свешниковc, В. И. Егоркинc, В. А. Ивановd, Г. В. Медведевd, Д. С. Смотринad

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Национальный исследовательский университет "МИЭТ"
c ЗАО "Элма Малахит", Москва, Зеленоград
d ОАО Научно-производственное предприятие "Салют", Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (209 kB) Список цитирования (6)
URL: https://journals.ioffe.ru/ftp/2016/03/page-331.html.ru
Аннотация: Приводятся результаты экспериментального исследования параметров GaN и GaAs структур до и после $\gamma$-нейтронного облучения. Предложен специальный набор тестовых диодов, позволяющих снизить погрешность результатов измерений параметров структур, что важно для проектирования и оптимизации конструкции полупроводниковых приборов.
Поступила в редакцию: 07.07.2015
Принята в печать: 17.07.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 3, Pages 326–333
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616030222
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. А. Тарасова, A. B. Хананова, С. В. Оболенский, В. Е. Земляков, Ю. Н. Свешников, В. И. Егоркин, В. А. Иванов, Г. В. Медведев, Д. С. Смотрин, “Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после $\gamma$-нейтронного облучения”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 331–338; Semiconductors, 50:3 (2016), 326–333
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TarHanObo16}
\by Е.~А.~Тарасова, A.~B.~Хананова, С.~В.~Оболенский, В.~Е.~Земляков, Ю.~Н.~Свешников, В.~И.~Егоркин, В.~А.~Иванов, Г.~В.~Медведев, Д.~С.~Смотрин
\paper Исследование распределения электронов в GaN и GaAs структурах после $\gamma$-нейтронного облучения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 331--338
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6512}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668168}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 326--333
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616030222}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6512
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p331
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025