Дефекты в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией на подложках из кремния

Проведено исследование дефектов в гетероэпитаксиальных структурах теллуридов кадмия и ртути с мольной долей теллурида кадмия от 0.3 до 0.4, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из кремния. С использованием метода фотолюминесценции при низких температурах в запрещенной зоне выявлены относительно глубокие уровни с энергией залегания 50–60 мэВ и более мелкие уровни с энергией 20–30 мэВ. Исследование температурной зависимости времени жизни неосновных носителей заряда показало, что это время определялось присутствием уровней с энергией залегания около 30 мэВ. Обсуждается связь выявленных энергетических состояний с дефектами кристаллической структуры.