Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2, страницы 223–228 (Mi phts6542)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Лазерное моделирование переходных радиационных эффектов в гетероструктурных элементах на полупроводниковых соединениях А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$

Д. В. Громовa, П. П. Мальцевb, С. А. Полевичc

a Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
b Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники им. В. Г. Мокерова РАН, г. Москва
c Акционерное общество "Экспериментальное научно-производственное объединение Специализированные электронные системы", г. Москва
PDF полного текста (342 kB) Список цитирования (5)
URL: https://journals.ioffe.ru/ftp/2016/02/page-223.html.ru
Аннотация: Проведены исследования возможности моделирования переходных радиационных эффектов с использованием лазерного излучения в СВЧ гетероструктурных элементах на основе полупроводниковых соединений А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$. Приведены результаты лазерного моделирования переходных радиационных эффектов в псевдоморфных НЕМТ (pHEMT) на гетероструктуре AlGaAs/InGaAs/GaAs. Показано, что для адекватного моделирования переходных эффектов в приборах на подложках GaAs следует использовать лазерное излучение с длиной волны $\lambda$ = 880–900 нм с учетом доминирующих механизмов ионизации в областях транзисторов.
Поступила в редакцию: 21.04.2015
Принята в печать: 05.05.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 2, Pages 222–227
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616020093
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. В. Громов, П. П. Мальцев, С. А. Полевич, “Лазерное моделирование переходных радиационных эффектов в гетероструктурных элементах на полупроводниковых соединениях А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 223–228; Semiconductors, 50:2 (2016), 222–227
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GroMalPol16}
\by Д.~В.~Громов, П.~П.~Мальцев, С.~А.~Полевич
\paper Лазерное моделирование переходных радиационных эффектов в гетероструктурных элементах на полупроводниковых соединениях А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 223--228
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6542}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668104}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 222--227
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616020093}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6542
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i2/p223
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025