Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2, страницы 236–240 (Mi phts6544)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Полевой транзистор с двумерными системами носителей в затворе и канале

В. Г. Поповab

a Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН
b Московский физико-технический институт (НИУ), Факультет физической и квантовой электроники, Долгопрудный, Россия
PDF полного текста (252 kB) Список цитирования (3)
URL: https://journals.ioffe.ru/ftp/2016/02/page-236.html.ru
Аннотация: Рассмотрено применение эффекта резонансного туннелирования носителей в транзисторах. Показано, что использование резонансного характера туннелирования позволяет снизить токи утечки, которые являются одной из основных причин кризиса в развитии транзисторов на сегодняшний день. В работе предложен новый тип полевых транзисторов с затвором и каналом на основе двумерных систем носителей. Рассмотрены перспективы дальнейшей миниатюризации транзисторов. Для транзисторов с резонансным туннелированием чрезмерная миниатюризация подавляет резонансное туннелирование носителей и, таким образом, увеличивает токи утечки.
Поступила в редакцию: 27.05.2015
Принята в печать: 05.06.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 2, Pages 235–239
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616020184
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Г. Попов, “Полевой транзистор с двумерными системами носителей в затворе и канале”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 236–240; Semiconductors, 50:2 (2016), 235–239
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Pop16}
\by В.~Г.~Попов
\paper Полевой транзистор с двумерными системами носителей в затворе и канале
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 236--240
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6544}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668109}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 235--239
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616020184}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6544
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i2/p236
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025