Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2, страницы 269–273 (Mi phts6551)  
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Светоизлучающие нанокомпозиты на основе ZnS:Cu, осажденного в матрицы пористого анодного Al$_{2}$O$_{3}$

Р. Г. Валеевa, Д. И. Петуховba, А. И. Чукавинa, А. Н. Бельтюковa

a Физико-технический институт Уральского отделения Российской Академии наук
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, факультет наук о материалах
PDF полного текста (462 kB) Список цитирования (3)
URL: https://journals.ioffe.ru/ftp/2016/02/page-269.html.ru
Аннотация: Предложен новый нанокомпозитный материал для перспективных электролюминесцентных источников света: легированный медью сульфид цинка, осажденный методом вакуумно-термического напыления в матрицы анодного оксида алюминия. Проведено исследование структуры химических связей, что позволило определить механизмы, ответственные за появление в данных материалах УФ-фотолюминесценции и электролюминесценции в электрическом поле с амплитудой 220 В и частотой 50 Гц. Это позволит использовать предложенный нанокомпозит в электролюминесцентных источниках света, включенных в обычную электрическую сеть.
Поступила в редакцию: 19.06.2015
Принята в печать: 09.07.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 2, Pages 266–270
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616020275
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. Г. Валеев, Д. И. Петухов, А. И. Чукавин, А. Н. Бельтюков, “Светоизлучающие нанокомпозиты на основе ZnS:Cu, осажденного в матрицы пористого анодного Al$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 269–273; Semiconductors, 50:2 (2016), 266–270
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ValPetChu16}
\by Р.~Г.~Валеев, Д.~И.~Петухов, А.~И.~Чукавин, А.~Н.~Бельтюков
\paper Светоизлучающие нанокомпозиты на основе ZnS:Cu, осажденного в матрицы пористого анодного Al$_{2}$O$_{3}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 269--273
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6551}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668131}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 266--270
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616020275}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6551
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i2/p269
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025