Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 11, страница 1224 (Mi phts6671)  

Эта публикация цитируется в 25 научных статьях (всего в 25 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Manganese-doped ZnS QDs: an investigation into the optimal amount of doping

S. Tomarab, S. Guptab, S. Mukherjeec, A. Singhd, S. Kumare, R. K. Choubeyb

a Applied Science & Humanities Department, ABES Engineering College, Campus-1, 19th KM Stone, NH-24, Ghaziabad U.P.-201009, India
b Department of Applied Physics, Amity Institute of Applied Sciences (AIAS), Amity University, Noida Campus, Sector-125, Noida 201313, Uttar Pradesh, India
c Department of Physics, National Institute of Technology, Patna 800005, Bihar, India
d Department of Physics, Faculty of Natural Sciences Jamia Millia Islamia, Central University, New Delhi-110025, India
e Department of Physics, Indira Gandhi University, Meerpur-122502, Rewari, Haryana, India
Аннотация: In the present study, undoped and Mn-doped ZnS, Zn$_{1-x}$Mn$_x$S ($x$ = 0, 0.02, 0.06, 0.10) quantum dots (QDs) were successfully synthesized using the simple co-precipitation method. The synthesized samples were thoroughly studied using X-ray diffraction (XRD), UV-visible absorption, high-resolution transmission electron microscopy (HRTEM) with selected area of the electron diffraction, scanning electron microscope with energy dispersive X-ray spectra, photoluminescence emission (PLE), and Fourier transform infrared spectroscopy. The XRD pattern confirmed the cubic zinc-blende phase at low doping concentration; however, at higher Mn-doping concentration hetaerolite phase formation was observed. The calculated particle size using Debye–Scherrer relation was found between 1.90–2.35 nm, which was also confirmed by HRTEM analysis. The blue shift in the absorption peak of all the prepared ZnS QDs as compared to bulk ZnS was indicative of the formation of nanoparticles and the calculated band gap was in the range of 3.94–4.11 eV. The PLE spectroscopy of the synthesized QDs was performed at the excitation wavelength of 280 nm and corresponding emission spectroscopy confirmed the surface defects in synthesized ZnS QDs.
Ключевые слова: ZnS, Mn, quantum dots, XRD, photoluminescence emission.
Финансовая поддержка Номер гранта
Council of Science and Technology, Lucknow, Uttar Pradesh, India CST/4051
One of the authors, Ravi Kant Choubey is thankful to the Council of Science and Technology, Lucknow, Uttar Pradesh, India for the financial support (Vide no. CST/4051).
Поступила в редакцию: 07.07.2020
Исправленный вариант: 07.07.2020
Принята в печать: 15.07.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 11, Pages 1450–1458
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378262011024X
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: S. Tomar, S. Gupta, S. Mukherjee, A. Singh, S. Kumar, R. K. Choubey, “Manganese-doped ZnS QDs: an investigation into the optimal amount of doping”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1224; Semiconductors, 54:11 (2020), 1450–1458
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TomGupMuk20}
\by S.~Tomar, S.~Gupta, S.~Mukherjee, A.~Singh, S.~Kumar, R.~K.~Choubey
\paper Manganese-doped ZnS QDs: an investigation into the optimal amount of doping
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1224
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6671}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1450--1458
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378262011024X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6671
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i11/p1224
  • Эта публикация цитируется в следующих 25 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025