Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 11, страница 1258 (Mi phts6674)  
NANOSTRUCTURES : PHYSICS AND TECHNOLOGY 28th International Symposium (Minsk, Republic of Belarus, September, 2020)
Excitons in Nanostructures

Modeling of exciton exchange interaction in GaAs/AlGaAs quantum wells

E. S. Khramtsov, B. F. Gribakin, A. V. Trifonov, I. V. Ignatiev

Spin Optics Laboratory, St. Petersburg State University, 198504 St. Petersburg, Petrodvorets, Russia
PDF полного текста (25 kB)
Аннотация: In this work, we study the exchange interactions between two excitons in the GaAs/AlGaAs quantum wells of various widths. We numerically solved the Schrödinger equation for an exciton in a quantum well to find the two-exciton wave functions and to calculate the exchange integral. The results suggest that the strongest interactions between excitons occur in the quantum wells of widths of about 40–50 nm, with the exchange energy being of about of 9 $\mu$eV for an exciton density of 1/$\mu$m$^2$.
Ключевые слова: quantum wells, exciton, exchange interaction.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 19-72-20039
This work is supported by the Russian Science Foundation, grant no. 19-72-20039. The calculations were carried out using the facilities of the SPbU Resource Center Computational Center of SPbU.
Поступила в редакцию: 23.06.2020
Исправленный вариант: 23.07.2020
Принята в печать: 27.07.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 11, Pages 1503–1505
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620110135
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: E. S. Khramtsov, B. F. Gribakin, A. V. Trifonov, I. V. Ignatiev, “Modeling of exciton exchange interaction in GaAs/AlGaAs quantum wells”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1258; Semiconductors, 54:11 (2020), 1503–1505
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhrGriTri20}
\by E.~S.~Khramtsov, B.~F.~Gribakin, A.~V.~Trifonov, I.~V.~Ignatiev
\paper Modeling of exciton exchange interaction in GaAs/AlGaAs quantum wells
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1258
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6674}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 11
\pages 1503--1505
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620110135}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6674
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i11/p1258
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025